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2N5485TR4

更新时间: 2024-01-29 08:39:04
品牌 Logo 应用领域
CALOGIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 50K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92

2N5485TR4 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.90.00.00风险等级:5.65
配置:SINGLE最大漏极电流 (ID):0.03 A
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):1 pF
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:135 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:N-CHANNEL最小功率增益 (Gp):10 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N5485TR4 数据手册

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