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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOIC-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 6.9 | Is Samacsys： | N |
| 放大器类型： | BUFFER | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 20 µA |
| 标称带宽 (3dB)： | 180 MHz | 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 20 µA |
| 最大输入失调电压： | 100000 µV | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 4.9 mm |
| 湿度敏感等级： | 3 | 负供电电压上限： | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 包装方法： | TR | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | +-15 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.75 mm | 标称压摆率： | 2000 V/us |
| 子类别： | Buffer Amplifier | 最大压摆率： | 20 mA |
| 供电电压上限： | 18 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE | 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 3.9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BUF634U/2K5E4 | BB | 250mA HIGH-SPEED BUFFER |
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| BUF634U-2K5 | BB | 250mA HIGH-SPEED BUFFER |
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| BUF634U-2K5E4 | BB | 250mA HIGH-SPEED BUFFER |
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| BUF634UE4 | BB | 250mA HIGH-SPEED BUFFER |
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| BUF634U-TR | BB | Buffer Amplifier, 1 Func, PDSO8, |
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| BUF636A | TEMIC | Silicon NPN High Voltage Switching Transistor |
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