4N25-W60E

更新时间： 2024-02-07 16:05:57

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安华高科 - AVAGO		晶体光电晶体管光电晶体管
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7页	240K
描述
Phototransistor Optocoupler General Purpose Type

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4N25-W60E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.40.80.00
风险等级：	5.33	其他特性：	UL RECOGNIZED
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	30 V	配置：	SINGLE
当前传输比率-最小值：	20%	标称电流传输比：	20%
最大暗电源：	50 nA	最大正向电流：	0.08 A
最大正向电压：	1.5 V	最大绝缘电压：	2500 V
JESD-609代码：	e3	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
元件数量：	1	最大通态电流：	0.1 A
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-55 °C
光电设备类型：	TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER	最大功率耗散：	0.25 W
子类别：	Optocoupler - Transistor Outputs	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

4N25-W60E 数据手册

4N25

Phototransistor Optocoupler General Purpose Type

Data Sheet

Lead (Pb) Free

RoHS 6 fully

compliant

RoHS 6 fully compliant options available;

-xxxE denotes a lead-free product

Description

Features

Theꢀ4N25ꢀisꢀanꢀoptocouplerꢀforꢀgeneralꢀpurposeꢀapplica-

tions.ꢀItꢀcontainsꢀaꢀlightꢀemittingꢀdiodeꢀopticallyꢀcoupledꢀ

toꢀaꢀphoto-transistor.ꢀItꢀisꢀpackagedꢀinꢀaꢀ6-pinꢀDIPꢀpack-

ageꢀandꢀavailableꢀinꢀwide-leadꢀspacingꢀoptionꢀandꢀleadꢀ

•ꢀ Responseꢀtimeꢀꢀ

ꢀ

ꢀ (t :ꢀtyp.,ꢀ3ꢀµsꢀatꢀV ꢀ=ꢀ10ꢀV,ꢀI ꢀ=ꢀ2ꢀmA,ꢀR ꢀ=ꢀ100ꢀΩ)

•ꢀ CurrentꢀTransferꢀRatioꢀ(CTR:ꢀmin.ꢀ20%ꢀatꢀI ꢀ=ꢀ10ꢀmA,ꢀ

V ꢀ=ꢀ10ꢀV)

bendꢀSMDꢀoption.ꢀResponseꢀtime,ꢀt ,ꢀisꢀtypicallyꢀ3ꢀµsꢀandꢀ

•ꢀ Input-outputꢀisolationꢀvoltageꢀ(V ꢀ=ꢀ2500ꢀVrms)

•ꢀ Dual-in-lineꢀpackage

•ꢀ ULꢀapproved

•ꢀ CSAꢀapproved

•ꢀ IEC/EN/DINꢀENꢀ60747-5-2ꢀapproved

iso

minimumꢀCTRꢀisꢀ20%ꢀatꢀinputꢀcurrentꢀofꢀ10ꢀmA.

Applications

•ꢀ I/Oꢀinterfacesꢀforꢀcomputers

•ꢀ Systemꢀappliances,ꢀmeasuringꢀinstruments

•ꢀ Signalꢀtransmissionꢀbetweenꢀcircuitsꢀofꢀdiﬀerentꢀ

•ꢀ Optionsꢀavailable:ꢀ

ꢀ

–ꢀꢀLeadsꢀwithꢀ0.4"ꢀ(10.16ꢀmm)ꢀspacingꢀ(W00)ꢀ

–ꢀꢀLeadsꢀbendsꢀforꢀsurfaceꢀmountingꢀ(300)

potentialsꢀandꢀimpedances

ꢀ

–ꢀꢀTapeꢀandꢀreelꢀforꢀSMDꢀ(500)ꢀ ꢀ

ꢀ

–ꢀꢀIEC/EN/DINꢀENꢀ60747-5-2ꢀapprovalsꢀ(060)

CAUTION: It is advised that normal static precautions be taken in handling and assembly

of this component to prevent damage and/or degradation which may be induced by ESD.

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