是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | DIP, DIP28,.3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.14 | 最长访问时间: | 15 ns |
其他特性: | RETRANSMIT | 最大时钟频率 (fCLK): | 40 MHz |
周期时间: | 25 ns | JESD-30 代码: | R-CDIP-T28 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 27.94 mm |
内存密度: | 36864 bit | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 9 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 4096 words |
字数代码: | 4000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 4KX9 | 可输出: | NO |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 Class V | 座面最大高度: | 3.94 mm |
最大待机电流: | 0.0004 A | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | GOLD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 总剂量: | 10k Rad(Si) V |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962D8956810VTC | ATMEL | Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO |
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5962D8956810VTC | MICROCHIP | FIFO, 4KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
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5962D9317704VNX | ACTEL | FIFO, 16KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, FP-28 |
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5962D9317706VTX | ACTEL | FIFO, 16KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, DIP-28 |
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5962D9317707VNC | ATMEL | Rad. Tolerant High Speed 16 Kb x 9 Parallel FIFO |
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5962D9317707VNX | ACTEL | FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, 0.400 INCH, DFP-28 |
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