2SC1252

更新时间： 2024-02-15 03:10:47

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ASI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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2SC1252

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2SC1252 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.4 A	基于收集器的最大容量：	3 pF
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1400 MHz
Base Number Matches：	1

2SC1252 数据手册

2SC1252

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The 2SC1252 is a High Frequency

Transistor, Designed for Wide Band

Amplifier Applications up to 500 MHz.

PACKAGE STYLE TO-39

FEATURES INCLUDE:

• High Gain -17 dB Typ. @ 200 MHz

• Low NF - 3.0 dB Typ. @ 200 MHz

• Hermetic TO-39 Package

MAXIMUM RATINGS

400 mA

45 V

I_C

V_CB

V_CE

P_DISS

T_J

25 V

5 W @ T_C= 25 °C

-65 to +200 °C

35 °C/W

1 = Emitter

2 = Base

T_STG

θ_JC

3 & 4 = Collector (Case)

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_C= 5.0 mA

I_C= 100 µA

V_CE= 30 V

V_EB= 2.0 V

BV_CBO

I_CBO

100

500

200

---

I_EBO

h_FE

V_CE= 10 V

I_C= 50 mA

V_CE= 15 V

V_CB= 15 V

I_C= 15 mA f = 200 MHz

I_C= 70 mA

1200

1400

f_t

MHz

C_OB

f = 1.0 MHz

3.0

G_PE

V_CE= 15 V

I_C= 50 mA

I_C= 30 mA

f = 200 MHz

3.0

4.0

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. B

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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