2N6093

更新时间： 2024-02-01 08:26:22

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ASI		晶体晶体管射频放大器
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1页	27K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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2N6093 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-217
包装说明：	POST/STUD MOUNT, X-XUPM-P4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
其他特性：	WITH EMITTER BALLASTING RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
基于收集器的最大容量：	250 pF	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-217
JESD-30 代码：	X-XUPM-P4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	UNSPECIFIED
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	83 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2N6093 数据手册

2N6093

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE TO-217

DESCRIPTION:

The 2N6093 is a High Gain Linear RF

Power Amplifier Used in Class A or

Class B Applications With Individual

Ballast Emitter Resistor and Built in

Temperature Sensing Diode.

MAXIMUM RATINGS

10 A

I_C

V_CE

P_DISS

T_J

35 V

83.3 W @ T_C= 75 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

1.50 ^OC/W

1 = Emitter & Diode Cathode

2 = Collector

3 = Base

T_STG

θ_JC

4 = Diode Anode

¼-28 UNF Thread

NONE

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CEO

BV_CES

I_CES

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_C= 200 mA

V_CE= 60 V

I_E= 20 mA

V_CE= 6.0 V

I_F= 10 mA

V_CE= 28 V

T_C= 55 ^OC

BV_EBO

h_FE

3.5

I_C= 5.0 A

I_C= 1.0 A

---

V_F

0.8

h_fe

f = 50 MHz

f = 1.0 MHz

P_OE= 37.5 W

2.0

---

C_OB

P_IE

V_CB= 30 V

250

1.88

3.75

V_CC= 28 V

f = 30 MHz

I_C= 20 mA

P_OE= 75.0 W

G_PE

η_C

IMD

V_CC= 28 V

I_C= 20 mA

P_OE= 75.0 W

f = 30 MHz

-30

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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