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A61L6316V-10I

更新时间: 2024-02-03 04:46:16
品牌 Logo 应用领域
联笙电子 - AMICC 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
15页 149K
描述
64K X 16 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM

A61L6316V-10I 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:10 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
端子数量:44字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:64KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.23 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

A61L6316V-10I 数据手册

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A61L6316 Series  
64K X 16 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM  
Document Title  
64K X 16 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM  
Revision History  
Rev. No. History  
Issue Date  
July 14, 2000  
May 8, 2001  
Remark  
Preliminary  
Final  
0.0  
Initial issue  
1.0  
Final spec. release  
Add -10 spec.  
Change ICC1 from 120mA to 220mA (-12)  
Change ICC1 from 100mA to 210mA (-15)  
Change ISB1 from 8mA to 12mA  
Change ICDR from 1mA to 5mA  
Add tBE, tBLZ, tBHZ, tBW parameters  
Add -25°C ~ +85°C grade  
1.1  
July 17, 2002  
(July, 2002, Version 1.1)  
AMIC Technology, Inc.  

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