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A61L6316S-15

更新时间: 2024-01-30 04:02:14
品牌 Logo 应用领域
联笙电子 - AMICC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
15页 149K
描述
64K X 16 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM

A61L6316S-15 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:SOJ, SOJ44,.44Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88Is Samacsys:N
最长访问时间:15 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J44长度:28.58 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:44字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:64KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ44,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.76 mm最大待机电流:0.005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.21 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

A61L6316S-15 数据手册

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A61L6316 Series  
64K X 16 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM  
Document Title  
64K X 16 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM  
Revision History  
Rev. No. History  
Issue Date  
July 14, 2000  
May 8, 2001  
Remark  
Preliminary  
Final  
0.0  
Initial issue  
1.0  
Final spec. release  
Add -10 spec.  
Change ICC1 from 120mA to 220mA (-12)  
Change ICC1 from 100mA to 210mA (-15)  
Change ISB1 from 8mA to 12mA  
Change ICDR from 1mA to 5mA  
Add tBE, tBLZ, tBHZ, tBW parameters  
Add -25°C ~ +85°C grade  
1.1  
July 17, 2002  
(July, 2002, Version 1.1)  
AMIC Technology, Inc.  

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