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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | TSOP2, TSOP50,.46,32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5.5 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 166 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G50 |
| 长度： | 20.955 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 50 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP50,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 1024 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.001 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.21 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| A43L8316AV-7 | AMICC | 128K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM |
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| A43L8316G-75I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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| A43L8316G-95I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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| A43L8316V | AMICC | 128K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM |
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| A43L8316V-10 | AMICC | 128K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM |
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| A43L8316V-7 | AMICC | 128K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM |
获取价格 |
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