是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | TSOP2, TSOP54,.46,32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.48 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 5.4 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 143 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G56 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 22.22 mm | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 56 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP54,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | Yes |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.17 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
A43L4616V-75I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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A43L4616V-7F | AMICC | 暂无描述 |
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A43L4616V-95I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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A43L4632G-75I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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A43L4632G-95I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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A43L4632V-75I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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