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A43L2616V-7V

更新时间: 2024-02-10 09:46:30
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联笙电子 - AMICC 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
41页 1054K
描述
1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM

A43L2616V-7V 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.48Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):143 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54长度:22.22 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.13 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

A43L2616V-7V 数据手册

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A43L2616  
1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM  
Document Title  
1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM  
Revision History  
Rev. No. History  
Issue Date  
Remark  
0.0  
1.0  
2.0  
3.0  
3.1  
Initial issue  
August 9, 2001  
November 26,2001  
January 4,2002  
February 21,2002  
September 2, 2004  
Add -V grade  
Add -5.5 spec  
Add Full Page Mode  
Add Pb-Free package type  
(September, 2004, Version 3.1)  
AMIC Technology, Corp.  

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