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A42U2604V-80U

更新时间： 2024-02-12 20:43:04

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联笙电子 - AMICC		/
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25页	267K
描述
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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A42U2604V-80U 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP2, TSOP24/26,.36	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G24
JESD-609代码：	e0	长度：	17.14 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP24/26,.36
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.0005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.75 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.25 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm

A42U2604 Series

Preliminary

4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

Document Title

4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

Revision History

Rev. No. History

Issue Date

Remark

0.0

0.1

0.2

0.3

Initial issue

June 13, 2001

Preliminary

Modify symbol HE dimensions in TSOP 24L package information

Modify AC. and DC. data

July 10, 2001

December 12, 2001

June 10, 2002

Modify DC data and all parts guarantee self-refresh mode

PRELIMINARY (June, 2002, Version 0.3)

AMIC Technology, Inc.

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