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A42L2604V-50UF

更新时间: 2024-01-09 15:47:49
品牌 Logo 应用领域
联笙电子 - AMICC /
页数 文件大小 规格书
25页 261K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24

A42L2604V-50UF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP24/26,.36Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:50 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G24
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:4端子数量:24
字数:4194304 words字数代码:4000000
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:4MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP24/26,.36封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
自我刷新:YES最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.075 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

A42L2604V-50UF 数据手册

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A42L2604 Series  
Preliminary  
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE  
Document Title  
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE  
Revision History  
Rev. No. History  
Issue Date  
Remark  
0.0  
0.1  
0.2  
Initial issue  
June 13, 2001  
Preliminary  
Modify symbol HE dimensions in TSOP 24L package information  
Add -45 grade and modify the AC, DC data  
Add -U type spec.  
July 10, 2001  
November 30, 2001  
0.3  
Modify DC data and all parts guarantee self-refresh mode  
June 10, 2002  
PRELIMINARY (June, 2002, Version 0.3)  
AMIC Technology, Inc.  

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