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A428316V-35U

更新时间： 2024-01-05 05:31:50

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联笙电子 - AMICC		/
页数	文件大小	规格书
25页	270K
描述
256K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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A428316V-35U 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP2, TSOP40/44,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	35 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
长度：	18.41 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	40	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP40/44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.105 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

A428316 Series

Preliminary

256K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

Document Title

256K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

Revision History

Rev. No. History

Issue Date

Remark

0.0

0.1

0.2

0.3

Initial issue

June 13, 2001

April 26, 2002

June 10, 2002

August 20, 2002

Preliminary

Modify AC data

Modify DC data and all parts guarantee self-refresh mode

Delete -30,-40 grade and add -25 grade

PRELIMINARY (August, 2002, Version 0.3)

AMIC Technology, Inc.

12 3 4 5 6 7...25

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
A428316V-35UF	AMICC	EDO DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40	获取价格
A-42892-0081	MOLEX	3.96mm (.156") Pitch KK® Solid Header, Right	获取价格
A-42892-0085	MOLEX	3.96mm (.156") Pitch KK® Solid Header, Right	获取价格
A-42892-0086	MOLEX	3.96mm (.156") Pitch KK® Solid Header, Right	获取价格
A-42892-0087	MOLEX	3.96mm (.156") Pitch KK® Solid Header, Right	获取价格
A42A	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格