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A416316BV-35F

更新时间: 2024-01-18 18:52:55
品牌 Logo 应用领域
联笙电子 - AMICC 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
25页 405K
描述
Fast Page DRAM, 64KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40

A416316BV-35F 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:TSOP2, TSOP40/44,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.48Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:35 ns
其他特性:SELF REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G40长度:18.41 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:40
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP40/44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:256座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.085 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

A416316BV-35F 数据手册

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A416316B Series  
Preliminary  
64K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE  
Document Title  
64K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE  
Revision History  
Rev. No. History  
0.0 Initial issue  
Issue Date  
November 15, 2000  
Remark  
Preliminary  
PRELIMINARY (November, 2000, Version 0.0)  
AMIC Technology, Inc.  

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