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AS7C164-15JC

更新时间: 2024-01-03 03:33:52
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ALSC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 213K
描述
5V 8K X 8 CMOS SRAM

AS7C164-15JC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.79最长访问时间:15 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T28
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.445 mm最大待机电流:0.002 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.1 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

AS7C164-15JC 数据手册

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Low power consumption: STANDBY  
- 11 mW (AS7C164) / max CMOS I/ O  
• 2.0V data retention  
Easy memory expansion with CE1, CE2, OE inputs  
• TTL-compatible, three-state I/ O  
• 28-pin JEDEC standard package  
- 300 mil SOJ  
ESD protection 2000 volts  
Latch-up current 200 mA  
AS7C164 (5V version)  
Commercial temperature  
• Organization: 8,192 words × 8 bits  
Center power and ground pins  
• High speed  
- 12/ 15/ 20 ns address access time  
- 6/ 7/ 8 ns output enable access time  
Low power consumption: ACTIVE  
- 550 mW (AS7C164) / max @ 12 ns  
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28-pin PDIP, SOJ (300 mL)  
V
CC  
GND  
Input buffer  
NC  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
1
2
3
4
5
6
7
8
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
Vcc  
WE  
CE2  
A8  
A9  
A11  
OE  
A10  
CE1  
I/ O7  
I/ O6  
I/ O5  
I/ O4  
I/ O3  
A1  
A2  
I/ O7  
I/ O0  
128×64×8  
Array  
(65,536)  
A3  
A4  
A10  
A11  
A12  
9
10  
11  
12  
13  
14  
A0  
WE  
I/ O0  
I/ O1  
I/ O2  
GND  
Column decoder  
OE  
Control  
circuit  
CE1  
CE2  
A A A A A A  
0 5 6 7 8 9  
ꢐꢏꢋꢏꢎꢈꢅꢁꢍꢉꢆꢓꢅꢒꢏꢉ  
-12  
-15  
15  
-20  
20  
8
Unit  
Maximum address access time  
Maximum output enable access time  
Maximum operating current  
12  
6
ns  
ns  
7
110  
2.0  
100  
2.0  
90  
2.0  
mA  
mA  
Maximum CMOS standby current  
ꢗꢘꢙꢚꢘꢛꢚꢜꢖꢔꢙꢔꢚ  
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