5秒后页面跳转
AS4LC8M8S0-10FTC PDF预览

AS4LC8M8S0-10FTC

更新时间: 2024-02-13 02:54:27
品牌 Logo 应用领域
ALSC 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
24页 548K
描述
3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM

AS4LC8M8S0-10FTC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32
针数:54Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G54
JESD-609代码:e0长度:22.22 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):240电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.003 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.19 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

AS4LC8M8S0-10FTC 数据手册

 浏览型号AS4LC8M8S0-10FTC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS4LC8M8S0-10FTC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS4LC8M8S0-10FTC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS4LC8M8S0-10FTC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS4LC8M8S0-10FTC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS4LC8M8S0-10FTC的Datasheet PDF文件第7页 
Advance information  
AS4LC8M8S0  
AS4LC4M16S0  
®
3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM  
Features  
• PC100/ 133 compliant  
• Organization  
• 4096 refresh cycles, 64 ms refresh interval  
Auto refresh and self refresh  
Automatic and direct precharge  
Burst read, single write operation  
Can assert random column address in every cycle  
LVTTL compatible I/ O  
• 3.3V power supply  
JEDEC standard package, pinout and function  
- 400 mil, 54-pin TSOP II  
- 2,097,152 words × 8 bits × 4 banks (8M×8)  
- 1,048,576 words × 16 bits × 4 banks (4M×16)  
Fully synchronous  
- All signals referenced to positive edge of clock  
Four internal banks controlled by BA0/ BA1 (bank select)  
• High speed  
- 133/ 125/ 100 MHz  
- 5.4 ns (133 MHz)/ 6 ns (125/ 100 MHz) clock access time  
Low power consumption  
Read/ write data masking  
• Programmable burst length (1/ 2/ 4/ 8/ full page)  
• Programmable burst sequence (sequential/ interleaved)  
• Programmable CAS latency (2/ 3)  
- Standby: 7.2 mW max, CMOS I/ O  
Pin designation  
Pin arrangement  
AS4LC4M16S0  
Pin(s)  
Description  
V
V
SS  
DQ7  
V
V
DQM (8M×8)  
UDQM/ LDQM (4M×16)  
1
2
3
4
5
6
7
8
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
CC  
DQ0  
CC  
SS  
Output disable/ write mask  
DQ0  
DQ15  
V
V
V
CCQ  
V
CCQ  
SSQ  
SSQ  
NC  
DQ1  
DQ1  
DQ2  
DQ14  
DQ13  
NC  
DQ6  
A0 to A11  
BA0, BA1  
Address inputs  
V
V
V
V
CCQ  
CCQ  
SSQ  
SSQ  
Bank select inputs  
NC  
DQ3  
DQ4  
DQ12  
DQ11  
NC  
DQ5  
DQ2  
V
V
DQ0 to DQ7 (8M×8)  
DQ0 to DQ15 (4M×16)  
CCQ  
CCQ  
V
V
9
SSQ  
SSQ  
Input/ output  
NC  
DQ5  
DQ6  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
DQ10  
DQ9  
NC  
DQ4  
DQ3  
V
V
V
V
SSQ  
SSQ  
CCQ  
CCQ  
RAS  
CAS  
Row address strobe  
Column address strobe  
Write enable  
NC  
DQ7  
DQ8  
NC  
V
V
V
V
CC  
SS  
CC  
SS  
NC  
NC  
WE  
CAS  
RAS  
CS  
BA0  
BA1  
A10  
A0  
LDQM  
WE  
CAS  
RAS  
CS  
BA0  
BA1  
A10  
A0  
NC  
UDQM  
CLK  
CKE  
NC  
A11  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
DQM  
CLK  
CKE  
WE  
CS  
Chip select  
NC  
A11  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
VCC, VCCQ  
Power (3.3V ± 0.3V)  
Ground  
23  
24  
25  
26  
27  
V , V  
32  
31  
30  
29  
28  
SS SSQ  
A1  
A2  
A3  
A1  
A2  
CLK  
CKE  
Clock input  
A3  
A4  
V
V
V
SS  
V
CC  
CC  
SS  
Clock enable  
AS4LC4M16S0  
Selection guide  
Symbol -75 (PC133)  
-8  
-10F (PC100) -10 (PC100)  
Unit  
Bus frequency  
fmax  
tAC  
tAC  
tS  
133  
125  
100  
100  
MHz  
ns  
CL = 2  
CL = 3  
6
Minimum clock access time  
5.4  
1.5  
0.8  
3
6
6
ns  
Minimum setup time  
2
1.0  
3
2
1.0  
2
2
1.0  
3
ns  
Minimum hold time  
tH  
ns  
Minimum RAS to CAS delay  
Minimum RAS precharge time  
Remarks: (CL/ tRCD/ tRP)  
tRCD  
tRP  
cycles  
cycles  
3
3
2
3
3/ 3/ 3  
3/ 3/ 3  
2/ 2/ 2  
3/ 3/ 3  
7/ 5/ 00  
ALLIANCE SEMICONDUCTOR  
1
Copyright ©2000 Alliance Semiconductor. All rights reserved.  

与AS4LC8M8S0-10FTC相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AS4LC8M8S0-10TC ALSC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM

获取价格

AS4LC8M8S0-75TC ALSC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM

获取价格

AS4LC8M8S0-8TC ALSC 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM

获取价格

AS4LC8M8SO-10TC ALSC DRAM

获取价格

AS4LC8M8SO-8TC ALSC DRAM

获取价格

AS4LC-S12-M2 MSYSTEM Plug-in Signal Conditioners M-UNIT

获取价格