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AS4LC2M8S0-10

更新时间： 2024-01-03 10:30:33
品牌 Logo 应用领域
ALSC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
26页 576K
描述
DRAM

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AS4LC2M8S0-10 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：44Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：6 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：100 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：1,2,4,8JESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：18.41 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：44
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
连续突发长度：1,2,4,8,FP最大待机电流：0.002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

AS4LC2M8S0-10 数据手册

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$GYDQFH#LQIRUPDWLRQ  
$67/&50;63  
$67/&404963  
®
6169#50ð;240ð49#&026#V\QFKURQRXV#'5$0  
)HDWXUHV  
• Automatic and direct precharge  
• Organization:  
• Burst read, single write  
• Can assert random column address in every cycle  
• LVTTL compatible I/ O  
1,048,576 words × 8 bits × 2 banks (2M×8)  
524,288 words × 16 bits × 2 banks (1M×16)  
• All signals referenced to positive edge of clock  
• Dual internal banks controlled by A11 (bank select)  
• High speed  
- 125/ 100/ 83 MHz  
- 6/ 7/ 8.5 ns clock access time  
• Low power consumption  
• 3.3V power supply  
• JEDEC standard package, pinout and function  
- 400 mil, 44-pin TSOP II (2M×8)  
- 400 mil, 50-pin TSOP II (1M×16)  
• Read/ write data masking  
• Programmable burst length (1/ 2/ 4/ 8/ full page)  
• Programmable burst sequence (sequential/ interleaved)  
• Programmable CAS latency (1/ 2/ 3)  
- Active: 576 mW max  
- Standby: 7.2 mW max, CMOS I/ O  
• 4096 refresh cycles, 64 ms refresh interval  
• Auto refresh and self refresh  
3LQ#DUUDQJHPHQW  
3LQ#GHVLJQDWLRQ  
Pin(s)  
Description  
TSOP II  
TSOP II  
VCC  
DQ0  
DQ1  
SSQ  
DQ2  
V
SS  
VCC  
DQ0  
V
SS  
1
2
3
4
5
6
7
8
50  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
DQM (2M×8)  
UDQM/ LDQM (1M×16)  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
DQ15  
DQ14  
DQ7  
Output disable/ write mask  
V
V
SSQ  
SSQ  
V
V
SSQ  
DQ6  
VCCQ  
DQ1  
VCCQ  
DQ13  
DQ12  
VCCQ  
DQ11  
DQ10  
A0 to A10  
A11  
Address inputs  
Bank select  
DQ3  
VCCQ  
DQ2  
DQ5  
V
V
SSQ  
SSQ  
DQ4  
DQ5  
DQ3  
VCCQ  
NC  
DQ4  
VCCQ  
NC  
NC  
DQM  
CLK  
CKE  
NC  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
9
DQ0 to DQ7 (2M×8)  
DQ0 to DQ15 (1M×16)  
Input/ output  
V
V
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
SSQ  
SSQ  
DQ6  
DQ7  
VCCQ  
DQ9  
DQ8  
VCCQ  
NC  
UDQM  
CLK  
CKE  
NC  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
NC  
WE  
CAS  
RAS  
CS  
A11  
A10  
A0  
A1  
A2  
A3  
VCC  
RAS  
Row address strobe  
Column address strobe  
Write enable  
LDQM  
WE  
CAS  
RAS  
CS  
A11  
A10  
A0  
A1  
A2  
A3  
VCC  
CAS  
WE  
CS  
Chip select  
VCC, VCCQ  
VSS, VSSQ  
CLK  
Power (3.3V ± 0.3V)  
Ground  
A4  
V
SS  
23  
24  
25  
28  
27  
26  
A4  
Clock input  
V
SS  
CKE  
Clock enable  
6HOHFWLRQ#JXLGH  
Symbol  
fmax  
tAC  
AS4LC2M8S0-8  
AS4LC2M8S0-10 AS4LC2M8S0-12 Unit  
Bus frequency (CL = 3)  
125  
6
100  
7
83.3  
8.5  
3.0  
1.0  
90  
MHz  
ns  
Maximum clock access time (CL = 3)  
Minimum input setup time  
Minimum input hold time  
tS  
2
2
ns  
tH  
1.0  
72  
100  
1
1.0  
80  
80  
1
ns  
Row cycle time (CL=3, BL=1)  
Maximum operating current  
tRC  
ns  
ICC1  
75  
mA  
mA  
Maximum CMOS standby current, self refresh ICC6  
1
','#440633330$1#6264233  
$//,$1&(#6(0,&21'8&725  
984  
Copyright ©1998 Alliance Semiconductor. All rights reserved.  
1234567...26

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