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AS4LC2M8E0-70JC

更新时间: 2024-01-07 12:12:57
品牌 Logo 应用领域
ALSC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 378K
描述
EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28

AS4LC2M8E0-70JC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ, SOJ28,.34针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.4
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:70 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J28JESD-609代码:e0
长度:18.4023 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ28,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):225
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048座面最大高度:3.7084 mm
自我刷新:YES最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.11 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

AS4LC2M8E0-70JC 数据手册

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