是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | QFP, QFI28(UNSPEC) |
针数: | 128 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.92 | 访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 7 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G128 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM |
内存宽度: | 64 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 128 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX64 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QFP | 封装等效代码: | QFI28(UNSPEC) |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 2048 | 连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流: | 0.003 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.275 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | QUAD |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
AS4LC2M16S1-10TC | ALSC | DRAM |
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AS4LC2M16S1-12TC | ALSC | DRAM |
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AS4LC2M16S1-8TC | ALSC | DRAM |
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AS4LC2M8E0-70JC | ALSC | EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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AS4LC2M8S0 | ALSC | 3.3V 2M × 8/1M × 16 CMOS synchronous DRAM |
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AS4LC2M8S0-10 | ALSC | DRAM |
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