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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSOP40/44,.46,32 |
| 针数： | 44 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.43 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间： | 45 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G40 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18.41 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 40 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP40/44,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 512 | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大待机电流： | 0.0002 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AS4LC256K16E0-45TC | ETC | x16 EDO Page Mode DRAM |
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| AS4LC256K16E0-60JC | ETC | x16 EDO Page Mode DRAM |
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| AS4LC256K16E0-60TC | ETC | x16 EDO Page Mode DRAM |
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| AS4LC256K16EO | ALSC | 3.3V 256K X 16 CMOS DRAM (EDO) |
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| AS4LC256K16EO-35 | ALSC | 3.3V 256K X 16 CMOS DRAM (EDO) |
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| AS4LC256K16EO-35TC | ALSC | 3.3V 256K X 16 CMOS DRAM (EDO) |
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