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AS4C4M4F1Q-50JC

更新时间: 2024-02-20 07:00:44
品牌 Logo 应用领域
ALSC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 310K
描述
Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

AS4C4M4F1Q-50JC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ28,.34
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.9访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:50 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J28
JESD-609代码:e0长度:18.54 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ28,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
座面最大高度:3.56 mm自我刷新:YES
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.11 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

AS4C4M4F1Q-50JC 数据手册

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• Organization: 4,194,304 words × 4 bits  
• High speed  
• Refresh  
- 2048 refresh cycles, 32 ms refresh interval for  
AS4C4M4F1Q  
- RAS-only or CAS-before-RAS refresh  
• TTL-compatible, three-state I/O  
• 4 separate CAS pins allow for separate I/O operation  
• JEDEC standard package  
- 50/60 ns RAS access time  
- 25/30 ns column address access time  
- 12/15 ns CAS access time  
• Low power consumption  
- Active: 495 mW max  
- Standby:5.5 mW max, CMOS I/O  
• Fast page mode  
- 300 mil, 28-pin SOJ  
- 300 mil, 28-pin TSOP  
• Latch-up current 200 mA  
• ESD protection 2000 V  
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Pin(s)  
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A0 to A11  
RAS  
Address inputs  
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CAS0 to CAS3 Column address strobe  
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WE  
Write enable  
Input/output  
Output enable  
Power  
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I/O0 to I/O3  
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VCC  
GND  
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Symbol  
tRAC  
tCAA  
tCAC  
tOEA  
tRC  
AS4C4M4F1Q-50  
AS4C4M4F1Q-60  
Unit  
ns  
Maximum RAS access time  
50  
25  
60  
30  
Maximum column address access time  
Maximum CAS access time  
ns  
12  
15  
ns  
Maximum output enable (OE) access time  
Minimum read or write cycle time  
Minimum fast page mode cycle time  
Maximum operating current  
13  
15  
ns  
85  
100  
24  
ns  
tPC  
20  
ns  
ICC1  
ICC5  
135  
2.0  
120  
2.0  
mA  
mA  
Maximum CMOS standby current  
3/22/02; v.1.3  
Alliance Semiconductor  
P. 1 of 14  
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AS4C4M4F1Q-50TC ALSC Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-28

获取价格

AS4C4M4F1Q-60JC ETC x4 Fast Page Mode DRAM

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AS4C4M4F1Q-60TC ETC DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|TSOP|28PIN|PLASTIC

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