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AS3V2M16-70BI

更新时间： 2024-01-13 04:43:08
品牌 Logo 应用领域
ALSC 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 160K
描述
Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48

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AS3V2M16-70BI 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA,针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B48
长度：8 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：PSEUDO STATIC RAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
宽度：6 mmBase Number Matches：1

AS3V2M16-70BI 数据手册

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February 2002  
Advance Information  
AS3V2M16  
&
2.7V to 3.3V 2M X 16 Super Low-Power CMOS Pseudo Static SRAM  
Features  
• AS3V2M16  
• Equal access and cycle times  
• 4 word Page Read Operation  
• Known good die availability  
• Smallest footprint package  
- 48-ball FBGA; 6.0 x 8.0 mm  
• ESD protection ≥ 2000 volts  
• Latch-up current ≥ 200 mA  
• Industrial, commercial and extended temperature ranges  
• Organization: 2M words × 16 bits  
• 2.7V to 3.3V power supply range  
• Fast access times of 55/ 70/ 85 ns  
• Low power consumption: ACTIVE  
- 150 mW max at 3.3V and 55 ns  
• Low power consumption: STANDBY  
- 330 µW max at 3.3V  
• Deep power down mode  
Pin arrangement (top view)  
Logic block diagram  
48-Fine Ball-Grid-Array Package  
V
1
2
3
4
5
6
CC  
A
B
C
D
E
LB  
OE  
A0  
A3  
A1  
A4  
A2  
ZZ  
2M × 16  
Array  
(33,554,432)  
V
SS  
I/ O8 UB  
CS I/ O0  
I/ O9 I/ O10 A5  
I/ O11 A17  
A6 I/ O1 I/ O2  
A7 I/ O3 VCC  
V
SS  
VCC I/ O12 DNU1 A16 I/ O4  
V
SS  
I/ O0–I/ O7  
I/ O8–I/ O15  
I/ O  
Control circuit  
buffer  
F
I/ O14 I/ O13 A14 A15 I/ O5 I/ O6  
I/ O15 A19 A12 A13 WE I/ O7  
A18 A8 A9 A10 A11 A20  
G
H
Column decoder  
WE  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢁꢅꢁꢂꢆꢁꢃꢆꢇꢁꢄꢈꢉ  
Column Addresses  
UB  
OE  
LB  
CS  
ZZ  
Selection guide  
VCC Range  
Typ  
Power Dissipation  
Operating (ICC1 Standby (ISB1  
)
)
Min  
(V)  
Max  
(V)  
Speed  
(ns)  
Product  
(V)  
3.0  
3.0  
3.0  
Max (mA)  
Max (µA)  
100  
AS3V2M16-55  
AS3V2M16-70  
AS3V2M16-85  
2.7  
2.7  
2.7  
3.3  
3.3  
3.3  
55  
5
5
5
70  
100  
85  
100  
10/ 17/ 02, V. 0.9.9  
Alliance Semiconductor  
P. 1 of 10  
Copyright © Alliance Semiconductor. All rights reserved.  
1234567...10

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