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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | PLASTIC, MO-175AA, SO-44 |
| 针数： | 44 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.66 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | 备用内存宽度： | 8 |
| 启动块： | BOTTOM | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | YES | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 28.2 mm | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 1,2,1,15 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512KX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP44,.63 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 3.1 mm | 部门规模： | 16K,8K,32K,64K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 12.6 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AS29LV800B-70RSI | ANADIGICS | 3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM |
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| AS29LV800B-70RTC | ANADIGICS | 3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM |
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| AS29LV800B-70RTI | ANADIGICS | 3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM |
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| AS29LV800B-70RTI | ALSC | Flash, 512KX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48 |
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| AS29LV800B-80SC | ANADIGICS | 3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM |
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| AS29LV800B-80SI | ANADIGICS | 3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM |
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