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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | TSOP1, TSSOP48,.8,20 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.77 | 最长访问时间： | 90 ns |
| 备用内存宽度： | 8 | 启动块： | TOP |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | YES |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 1,2,1,7 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX16 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装等效代码： | TSSOP48,.8,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 3/3.3 V |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 部门规模： | 16K,8K,32K,64K | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 12 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AS29LV400T-90TI | ALSC | 3V 512K x 8/256K x 16 CMOS Flash EEPROM |
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| AS29LV800 | ANADIGICS | 3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM |
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| AS29LV800B-120SC | ANADIGICS | 3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM |
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| AS29LV800B-120SI | ANADIGICS | 3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM |
获取价格 |
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| AS29LV800B-120TC | ANADIGICS | 3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM |
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| AS29LV800B-120TI | ANADIGICS | 3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM |
获取价格 |
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