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AS29LV400B-70SI

更新时间: 2024-01-17 00:35:51
品牌 Logo 应用领域
ALSC 闪存存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
26页 254K
描述
3V 512K x 8/256K x 16 CMOS Flash EEPROM

AS29LV400B-70SI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:PLASTIC, MO-175AA, SO-44
针数:44Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:70 ns备用内存宽度:8
JESD-30 代码:R-PDSO-G44长度:28.2 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16湿度敏感等级:1
功能数量:1端子数量:44
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.1 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:12.6 mm
Base Number Matches:1

AS29LV400B-70SI 数据手册

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