5秒后页面跳转
AS29F200T-55SI PDF预览

AS29F200T-55SI

更新时间: 2024-01-14 12:32:59
品牌 Logo 应用领域
ALSC 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
20页 357K
描述
5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM

AS29F200T-55SI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:12 X 20 MM, TSOP-48
针数:48Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.77最长访问时间:55 ns
其他特性:10K WRITE/ERASE CYCLE ENDURANCE备用内存宽度:8
启动块:TOP命令用户界面:YES
数据轮询:YES耐久性:10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G48JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
功能数量:1部门数/规模:1,2,1,3
端子数量:48字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
电源:5 V编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.000001 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.06 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:12 mmBase Number Matches:1

AS29F200T-55SI 数据手册

 浏览型号AS29F200T-55SI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS29F200T-55SI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS29F200T-55SI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS29F200T-55SI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS29F200T-55SI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS29F200T-55SI的Datasheet PDF文件第7页 
3UHOLPLQDU\#LQIRUPDWLRQ  
$65<)533  
®
89#589;245;49#&026#)ODVK#((3520  
)HDWXUHV  
• Organization: 256K×8 or 128K×16  
Sector architecture  
Low power consumption  
- 20 mA typical read current  
- One 16K; two 8K; one 32K; and three 64K byte sectors  
- Boot code sector architecture—T (top) or B (bottom)  
- Erase any combination of sectors or full chip  
Single 5.0±0.5V power supply for read/ write operations  
Sector protection  
• High speed 55/ 70/ 90/ 120 ns address access time  
Automated on-chip programming algorithm  
- Automatically programs/ verifies data at specified ad-  
dress  
Automated on-chip erase algorith  
- Automatically preprograms/ erases chip or specified sec-  
tors  
• 10,000 write/ erase cycle endurance  
• Hardware RESET pin  
- 30 mA typical program current  
- 300 µA typical standby current  
- 1 µA typical standby current (RESET = 0)  
JEDEC standard software, packages and pinouts  
- 48-pin TSOP  
- 44-pin SO  
• Detection of program/ erase cycle completion  
- DQ7 DATApolling  
- DQ6 toggle bit  
- RY/ BY output  
Erase suspend/ resume  
- Supports reading data from a sector not being erased  
Low V write lock-out below 2.8V  
CC  
- Resets internal state machine to read mode  
/RJLF#EORFN#GLDJUDP  
3LQ#DUUDQJHPHQW  
48-pin TSOP  
44-pin SO  
Sector protect  
switches  
RY/ BY  
DQ0–DQ15  
V
CC  
V
SS  
NC  
RY/ BY  
NC  
1
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
RESET  
WE  
A8  
Erase voltage  
generator  
Input/ output  
buffers  
2
RESET  
3
A7  
4
A9  
Program/ erase  
control  
WE  
BYTE  
A6  
5
A10  
A11  
A12  
A13  
A14  
A15  
A16  
BYTE  
A5  
6
A4  
7
Program voltage  
generator  
AS29F200  
Command  
register  
A3  
8
A2  
A1  
A0  
CE  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
STB  
Chip enable  
Output enable  
Logic  
Data latch  
CE  
OE  
A-1  
V
V
SS  
SS  
OE  
DQ0  
DQ15/ A-1  
DQ7  
Y decoder  
Y gating  
STB  
DQ8  
DQ14  
DQ6  
DQ1  
DQ9  
DQ13  
DQ5  
V
detector  
Timer  
CC  
DQ2  
X decoder  
Cell matrix  
DQ10  
DQ3  
DQ12  
DQ4  
A0A16  
DQ11  
V
CC  
6HOHFWLRQ#JXLGH  
29F200-55 29F200-70 29F200-90 29F200-120 Unit  
Maximum access time  
tAA  
tCE  
tOE  
55  
55  
25  
70  
70  
30  
90  
90  
35  
120  
120  
50  
ns  
ns  
ns  
Maximum chip enable access time  
Maximum output enable access time  
','#4407333<0$1#72:233  
$//,$1&(#6(0,&21'8&725  
4
Copyright ©1998 Alliance Semiconductor. All rights reserved.  

与AS29F200T-55SI相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AS29F200T-55TC ALSC 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM

获取价格

AS29F200T-55TI ALSC 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM

获取价格

AS29F200T-70SC ALSC 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM

获取价格

AS29F200T-70SI ALSC 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM

获取价格

AS29F200T-70TC ALSC 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM

获取价格

AS29F200T-70TI ALSC 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM

获取价格