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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | TSOP1, TSSOP40,.8,20 |
| 针数： | 40 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.38 | 最长访问时间： | 70 ns |
| 其他特性： | 10000 WRITE/ERASE CYCLE ENDURANCE | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | YES | 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G40 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 16 |
| 端子数量： | 40 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP40,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 部门规模： | 64K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 10 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AS29F080-70TI | ALSC | Flash, 1MX8, 70ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP1-40 |
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| AS29F080-90SC | ALSC | Flash, 1MX8, 90ns, PDSO44, 0.600 INCH, SO-44 |
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| AS29F080-90SI | ALSC | Flash, 1MX8, 90ns, PDSO44, 0.600 INCH, SO-44 |
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| AS29F080-90TC | ALSC | Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP1-40 |
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| AS29F080-90TI | ALSC | Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP1-40 |
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| AS29F200 | ALSC | 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
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