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AS29F010-90TC

更新时间： 2024-01-24 05:20:37
品牌 Logo 应用领域
ALSC 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 155K
描述
Flash, 128KX8, 90ns, PDSO32

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AS29F010-90TC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSSOP, TSSOP32,.8,20Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
部门数/规模：4端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP32,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
认证状态：Not Qualified部门规模：32K
最大待机电流：0.001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.05 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPEBase Number Matches：1

AS29F010-90TC 数据手册

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High Performance  
128K×8  
AS29F010  
AS29F011  
CMOS Flash EEPROM  
5V 128K×8 CMOS Flash Memory  
FEATURES  
•
•
Organization:131,072 words × 8 bits  
• JEDEC standard write cycle commands  
Sector Erase architecture  
– Four 32K × 8 sectors  
– protects data from accidental changes  
• Program/erase cycle end signals:  
– Data polling  
•
•
•
Single 5.0±0.5V power supply  
High speed 70/90/120/150 ns address access time  
– I/O6 toggle  
Low power consumption:  
– 30 mA maximum read current  
– 50 mA maximum program current  
– 1.5 mA maximum standby current  
– 1 mA maximum standby current (low power)  
• Low V write lock-out below 3.2V  
CC  
• JEDEC standard packages and pinouts:  
– 32-pin DIP  
– 32-pin PLCC  
•
•
Deep power-down: I < 2µA (AS29F011 version)  
CC  
10,000 write/erase cycle endurance  
– 32-pin TSOP  
LOGIC BLOCK DIAGRAM  
PIN ARRANGEMENT  
Pin  
Description  
address inputs  
data input/output  
chip enable  
I/O ~I/O  
0
7
TSOP  
A[16:0]  
V
I/O[7:1]  
CE  
CC  
A11  
A9  
1
OE  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
2
A10  
CE  
GND  
A8  
3
Erase Voltage  
Switch  
Input/Output  
Buffers  
A13  
A14  
NC*  
WE  
VCC  
4
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
GND  
I/O2  
I/O1  
I/O0  
A0  
5
OE  
output enable  
write enable  
device ground  
power supply  
no connect  
6
7
8
WE  
State  
Control  
AS29F010  
WE  
9
NC  
A16  
A15  
A12  
A7  
10  
11  
12  
13  
14  
GND  
21  
20  
19  
18  
17  
V
Command  
Register  
CC  
Program Voltage  
Switch  
A6  
A1  
A5  
15  
16  
A2  
NC  
RP  
A4  
A3  
Data  
Latch  
deep power down  
(AS29F011 only)  
Chip Enable  
Output Enable  
Logic  
CE  
OE  
PDIP  
PLCC  
VCC  
NC  
1
2
3
4
5
6
7
8
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
Program/Erase  
Pulse Timer  
Low V Detector  
CC  
Y-Decoder  
X-Decoder  
Y-Gating  
A16  
A15  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
WE(W)  
NC*  
A14  
A13  
A8  
A9  
A11  
OE  
A10  
CE(E)  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
I/O0  
5
6
7
8
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
A14  
A13  
A8  
A9  
A11  
OE (G)  
A10  
CE (E)  
I/O7  
A ~A  
0
16  
1,048,576 bit  
Cell Matrix  
9
AS29F010  
9
10  
11  
12  
13  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A0  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
GND  
AS29F010-01  
*RP pin for AS29F011  
AS29F010-02  
SELECTION GUIDE  
29F010-70  
29F010-90  
29F010-120  
29F010-150  
Unit  
Maximum access time  
Chip enable access time  
Output enable access time  
t
t
t
70  
70  
30  
90  
90  
35  
120  
120  
50  
150  
150  
50  
ns  
ns  
ns  
AA  
CE  
OE  
ALLIANCE SEMICONDUCTOR  
1234567...12

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