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AS29F010-120PC

更新时间: 2024-01-12 12:01:02
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ALSC 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
10页 169K
描述
5V 128K x 8 CMOS FLASH EEPROM

AS29F010-120PC 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.63Is Samacsys:N
最长访问时间:120 ns其他特性:10K WRITE/ERASE CYCLE ENDURANCE
命令用户界面:YES数据轮询:YES
耐久性:10000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0长度:18.4 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
部门数/规模:4端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSSOP32,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm部门规模:32K
最大待机电流:0.001 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.05 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:8 mm
Base Number Matches:1

AS29F010-120PC 数据手册

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#
$65<)343  
®
89#45;;#&026#)ODVK#((3520  
)HDWXUHV  
• Organization: 128K × 8 bits  
Sector Erase architecture  
JEDEC standard write cycle commands  
- protects data from accidental changes  
• Program/ erase cycle end signals:  
- Four 32K × 8 sectors  
Single 5.0±0.5V power supply for read/ write operations  
• High speed 120/ 150 ns address access time  
Low power consumption:  
- 30 mA maximum read current  
- 50 mA maximum program current  
- 1.5 mA maximum standby current  
- 1 mA maximum standby current (low power)  
• 10,000 write/ erase cycle endurance  
- Data polling  
- DQ6 toggle  
Low V write lock-out below 3.2V  
CC  
JEDEC standard packages and pinouts:  
- 32-pin DIP  
- 32-pin PLCC  
- 32-pin TSOP  
/RJLF#EORFN#GLDJUDP  
3LQ#DUUDQJHPHQW  
DQ ~DQ  
0
7
32-pin  
PDIP  
32-pin  
PLCC  
V
CC  
V
SS  
Erase voltage  
switch  
Input/output  
buffers  
NC  
A16  
A15  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
1
2
3
4
5
6
7
8
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
V
CC  
WE  
NC*  
A14  
A13  
A8  
A9  
A11  
OE  
State  
WE  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
DQ0  
5
6
7
8
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
A14  
A13  
A8  
A9  
A11  
OE  
A10  
CE  
DQ7  
control  
Command  
register  
Program voltage  
switch  
AS29F010  
9
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A10  
CE  
10  
11  
12  
13  
Data  
latch  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
Chip enable  
Output enable  
Logic  
CE  
OE  
V
SS  
32-pin  
TSOP  
Program/erase  
pulse timer  
Low V detector  
Y-Decoder  
X-Decoder  
Y-Gating  
CC  
A11  
A9  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
OE  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
A10  
CE  
A ~A  
0
16  
1,048,576 bit  
Cell matrix  
A8  
A13  
A14  
NC  
WE  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
V
CC  
AS29F010  
V
NC  
A16  
A15  
A12  
A7  
SS  
10  
DQ2  
DQ1  
DQ0  
A0  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A6  
A1  
A5  
18  
A2  
A4  
17  
A3  
6HOHFWLRQ#JXLGH  
AS29F010-120  
AS29F010-150  
Unit  
ns  
Maximum access time  
Chip enable access time  
Output enable access time  
tAA  
tCE  
tOE  
120  
120  
50  
150  
150  
50  
ns  
ns  
','#4407333:0$1#72:233  
$//,$1&(#6(0,&21'8&725  
4
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