5秒后页面跳转
AS29F002T-55T1C PDF预览

AS29F002T-55T1C

更新时间: 2024-02-15 16:11:14
品牌 Logo 应用领域
ALSC 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 722K
描述
Flash, 256KX8, 55ns, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32

AS29F002T-55T1C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP1包装说明:8 X 20 MM, TSOP1-32
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.92最长访问时间:55 ns
其他特性:10K WRITE/ERASE CYCLE ENDURANCE启动块:TOP
命令用户界面:YES数据轮询:YES
耐久性:10000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0长度:18.4 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,3端子数量:32
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP32,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.00001 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.06 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:8 mmBase Number Matches:1

AS29F002T-55T1C 数据手册

 浏览型号AS29F002T-55T1C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS29F002T-55T1C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS29F002T-55T1C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS29F002T-55T1C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS29F002T-55T1C的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS29F002T-55T1C的Datasheet PDF文件第7页 

与AS29F002T-55T1C相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AS29F002T-70SC ETC x8 Flash EEPROM

获取价格

AS29F002T-70SI ETC x8 Flash EEPROM

获取价格

AS29F002T-90SC ETC x8 Flash EEPROM

获取价格

AS29F002T-90SI ETC x8 Flash EEPROM

获取价格

AS29F010 ALSC 5V 128K x 8 CMOS FLASH EEPROM

获取价格

AS29F010 AUSTIN 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY

获取价格