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AS29F002B-55PC

更新时间： 2024-01-09 10:12:53
品牌 Logo 应用领域
ALSC 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 255K
描述
Flash, 256KX8, 55ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

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AS29F002B-55PC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.92最长访问时间：55 ns
其他特性：10K WRITE/ERASE CYCLE ENDURANCE启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：10000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDIP-T32
JESD-609代码：e0内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,3
端子数量：32字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP32(UNSPEC)封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.572 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.00001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.06 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

AS29F002B-55PC 数据手册

 浏览型号AS29F002B-55PC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS29F002B-55PC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS29F002B-55PC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS29F002B-55PC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS29F002B-55PC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS29F002B-55PC的Datasheet PDF文件第7页 
3UHOLPLQDU\ꢀLQIRUPDWLRQ  
$6ꢁꢂ)ꢃꢃꢁ  
®
ꢅ9ꢀꢁꢅꢆ.ðꢇꢀ&026ꢀ)ODVKꢀ((3520  
)HDWXUHV  
• Organization: 256K×8  
• Sector architecture  
- One 16K; two 8K; one 32K; and three 64K byte sectors  
- Boot code sector architecture—T (top) or B (bottom)  
- Erase any combination of sectors or full chip  
• Single 5.0±0.5V power supply for read/ write operations  
• Sector protection  
• Low power consumption  
- 40 mA maximum read current  
- 60 mA maximum program current  
- 2 mA maximum standby current  
- 10 µA standby current (RESET = 0)  
• JEDEC standard software, packages and pinouts  
- 40-pin TSOP  
• High speed 55/ 70/ 90/ 120 ns address access time  
• Automated on-chip programming algorithm  
- Automatically programs/ verifies data at specified address  
• Automated on-chip erase algorithm  
- Automatically preprograms/ erases chip or specified sec-  
tors  
- 32-pin PLCC  
- 32-pin TSOP  
- 32-pin PDIP  
• Detection of program/ erase cycle completion  
- DQ7 DATApolling  
- DQ6 toggle bit  
• 10,000 write/ erase cycle endurance  
• Hardware RESET pin  
- Resets internal state machine to read mode  
• Erase suspend/ resume  
- Supports reading data from a sector not being erased  
• Low VCC write lock-out below 2.8V  
3LQꢀDUUDQJHPHQW  
32-pin TSOP  
40-pin TSOP  
32-pin PDIP  
32-pin PLCC  
RESET  
A16  
A15  
A12  
A7  
1
32  
31  
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29  
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21  
20  
19  
18  
17  
V
CC  
A11  
A9  
1
OE  
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31  
30  
29  
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20  
19  
2
WE  
A17  
A14  
A13  
A8  
2
A10  
CE  
A8  
3
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
DQ0  
5
6
7
8
29  
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27  
26  
25  
24  
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21  
A14  
A13  
A8  
A9  
A11  
OE  
A10  
CE  
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3
A13  
A14  
A17  
WE  
4
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
5
4
6
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V
9
8
CC  
AS29F002  
AS29F002  
9
V
RESET  
A16  
A15  
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A7  
10  
11  
12  
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SS  
A6  
6
10  
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15  
16  
DQ2  
DQ1  
DQ0  
A0  
AS29F002  
A5  
7
A9  
A4  
8
A11  
OE  
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A1  
A5  
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A2  
A3  
9
A4  
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A3  
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CE  
A1  
A0  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
V
SS  
6HOHFWLRQꢀJXLGH  
AS29F002-55 AS29F002-70 AS29F002-90 AS29F002-120 Unit  
Maximum access time  
tAA  
tCE  
Maximum output enable access time tOE  
55  
55  
25  
70  
70  
30  
90  
90  
35  
120  
120  
50  
ns  
ns  
ns  
Maximum chip enable access time  
$//,$1&(ꢀ6(0,&21'8&725  
ꢄꢄꢂ  
Copyright ©1998 Alliance Semiconductor. All rights reserved.  
1234567...22

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