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5962F9689103QXX

更新时间： 2024-01-06 23:26:24
品牌 Logo 应用领域
艾法斯 - AEROFLEX 内存集成电路LORA可编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
11页 71K
描述
Radiation-Hardened 32K x 8 PROM

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5962F9689103QXX 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP,针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.57
Is Samacsys：N最长访问时间：45 ns
JESD-30 代码：R-CDIP-T28长度：35.56 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：32KX8封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-PRF-38535 Class V座面最大高度：4.445 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL总剂量：300k Rad(Si) V
类型：NOR TYPE宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

5962F9689103QXX 数据手册

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Standard Products  
UT28F256 Radiation-Hardened 32K x 8 PROM  
Data Sheet  
December 2002  
FEATURES  
q Programmable, read-only, asynchronous, radiation-  
-
Memory cell LET threshold: >128 MeV-cm2/mg  
q QML Q & V compliant part  
hardened, 32K x 8 memory  
-
Supported by industry standard programmer  
-
AC and DC testing at factory  
o
q 45ns and 40ns maximum address access time (-55 C to  
q Packaging options:  
o
+125 C)  
-
-
28-lead 50-mil center flatpack (0.490 x 0.74)  
28-lead 100-mil center DIP (0.600 x 1.4) - contact factory  
q TTL compatible input and TTL/CMOS compatible output  
levels  
q VDD: 5.0 volts + 10%  
q Three-state data bus  
q Standard Microcircuit Drawing 5962-96891  
q Low operating and standby current  
-
Operating: 125mA maximum @25MHz  
Derating: 3mA/MHz  
Standby: 2mA maximum (post-rad)  
·
PRODUCT DESCRIPTION  
-
q Radiation-hardened process and design; total dose  
The UT28F256 amorphous silicon anti-fuse PROM is a high  
performance, asynchronous, radiation-hardened,  
irradiation testing to MIL-STD-883, Method 1019  
32K x 8 programmable memory device. The UT28F256 PROM  
features fully asychronous operation requiring no external clocks  
or timing strobes. An advanced radiation-hardened twin-well  
CMOS process technology is used to implement the UT28F256.  
The combination of radiation-hardness, fast access time, and low  
power consumption make the UT28F256 ideal for high speed  
systems designed for operation in radiation environments.  
-
-
Total dose: 1E6 rad(Si)  
LETTH(0.25) ~ 100 MeV-cm2/mg  
-
SEL Immune >128 MeV-cm2/mg  
- Saturated Cross Section cm2 per bit, 1.0E-11  
- 1.2E-8 errors/device-day, Adams 90% geosynchronous  
heavy ion  
MEMORY  
ARRAY  
A(14:0)  
DECODER  
SENSE AMPLIFIER  
CE  
CONTROL  
LOGIC  
PE  
OE  
DQ(7:0)  
PROGRAMMING  
Figure 1. PROM Block Diagram  
1234567...11

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