2N7228

更新时间： 2024-01-09 09:30:13

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ADPOW		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
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描述
JEDEC REGISTERED N - CHANNEL HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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2N7228 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.64
雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.515 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	R-MSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	300 ns
最大开启时间（吨）：	225 ns	Base Number Matches：	1

2N7228 数据手册

TO-254

2N7228 500 Volt 0.415Ω

JX2N7228*

JV2N7228*

POWER MOS IV

*QUALIFIED TO MIL-S-19500/592 31/7/92

JEDEC REGISTERED N -CHANNEL HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

2N7228

500

±20

UNIT

V_DSS

V_GS

Drain-Source Voltage

Volts

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

I_D

Amps

Watts

I_DM

I_AR

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Total Power Dissipation @ T_C= 100°C

Linear Derating Factor

150

P_D

1.2

W/K

E_AS

E_AR

Single Pulse Avalanche Energy

750

Repetitive Avalanche Energy

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

Max. Lead Temp. for Soldering Conditions: 0.063" from Case for 10 Sec.

-55 to 150

300

°C

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

UNIT

MIN

TYP

MAX

BV_DSS

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

500

valanche Rated

Volts

V_GS(TH)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 250µA)

Avalanche Rate

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V)

I_DSS

µA

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

250

±100

I_GSS

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±20V, V_DS= 0V)

I_D(ON)

On State Drain Current (V_DS> I_D(ON) x R_DS(ON) Max, V_GS= 10V)

Amps

Drain-Source On-State Resistance (V_GS= 10V, I_D= 8.0A)

0.415

0.900

0.515

Ohms

Drain-Source On-State Resistance (V_GS= 10V, I_D= 8.0A, T_C= 125°C)

R_DS(ON)

Drain-Source On-State Resistance (V_GS= 10V, I_D= 12.0A)

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

USA

405 S.W. Columbia Street

EUROPE

Bend, Oregon 97702-1035

F-33700 Merignac - France

Phone: (541) 382-8028

Phone: (33) 5 57 92 15 15

FAX: (541) 388-0364

FAX: (33) 5 56 47 97 61

Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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