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9N20

更新时间： 2023-12-06 20:10:34

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鲁光 - LGE		晶体管场效应晶体管
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6页	797K
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场效应晶体管

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9N20 数据手册

9N20

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES



TrenchFET Power MOSFETS.

175℃ Junction Temperature.

New Low Thermal Resistance Package.

TO-220AB

MAXIMUM RATING operating temperature range applies unless otherwise specified

Value

200

±20

Symbol

Parameter

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate -Source Voltage

V_GS

Continuous Drain Current(T_J=175℃)

T_C=25℃

T_C=125℃

I_D

5.2

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

I_DM

I_AR

Power Dissipation at T_C=25℃

T_A=25℃(Note1)

P_D

3.75

Single Pulse Avalanche Energy

L = 0.1 Mh(Note2)

E_AS

2.45

R_thJA

R_thJC

Junction-to-Ambient (PCB Mount)^c

℃/W

℃

Junction-to-Case (Drain)

2.5

Operating Junction and StorageTem-perature Range

T_jT_stg

-55 to +175

Note:1.When mounted on 1“ square PCB(FR-4 material)

2.Duty cycle≤1%.

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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