是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.2 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | 1000000 ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 200 YEARS |
最大时钟频率 (fCLK): | 1 MHz | 数据保留时间-最小值: | 200 |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 9.27 mm | 内存密度: | 4096 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 256 words | 字数代码: | 256 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256X16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.33 mm | 串行总线类型: | MICROWIRE |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 6 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
93LC66BI/SL | MICROCHIP |
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暂无描述 | |
93LC66B-I/SL | ETC |
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Microwire Serial EEPROM | |
93LC66BI/SM | MICROCHIP |
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256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, EIAJ, PLASTIC, SOIC-8 | |
93LC66B-I/SM | ETC |
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Microwire Serial EEPROM | |
93LC66B-I/SMRVA | MICROCHIP |
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EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8 | |
93LC66BI/SN | MICROCHIP |
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128 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, MS-012, SOIC-8 | |
93LC66B-I/SN | MICROCHIP |
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4K Microwire Compatible Serial EEPROM | |
93LC66B-I/SNA22 | MICROCHIP |
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256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8 | |
93LC66B-I/SNA23 | MICROCHIP |
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256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8 | |
93LC66B-I/SNA24 | MICROCHIP |
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256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8 |