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93L415APC

更新时间: 2024-11-08 23:14:07
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美国国家半导体 - NSC 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 124K
描述
STATIC RANDOM ACCESS MEMORY

93L415APC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:25 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T16JESD-609代码:e0
长度:19.305 mm内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:16字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:75 °C最低工作温度:
组织:1KX1输出特性:OPEN-COLLECTOR
可输出:NO封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm子类别:SRAMs
最大压摆率:0.065 mA最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:TTL
温度等级:COMMERCIAL EXTENDED端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

93L415APC 数据手册

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