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93C76/P

更新时间： 2024-09-24 13:05:07
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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12页 87K
描述
512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8

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93C76/P 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP8,.3针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.44
Is Samacsys：N其他特性：1000000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 200 YEARS; USER CONFIGURABLE AS 512 X 16
备用内存宽度：8最大时钟频率 (fCLK)：2 MHz
数据保留时间-最小值：200耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDIP-T8JESD-609代码：e3
内存密度：8192 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：8字数：512 words
字数代码：512工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512X16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified串行总线类型：MICROWIRE
最大待机电流：0.0001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.003 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最长写入周期时间 (tWC)：10 ms写保护：HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：1

93C76/P 数据手册

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93C76/86  
8K/16K 5.0V Microwire Serial EEPROM  
PACKAGE TYPES  
DIP Package  
FEATURES  
• Single 5.0V supply  
• Low power CMOS technology  
- 1 mA active current typical  
8
1
V
CC  
• ORG pin selectable memory configuration  
1024 x 8- or 512 x 16-bit organization (93C76)  
2048 x 8- or 1024 x 16-bit organization (93C86)  
CS  
7
6
5
2
3
4
PE  
CLK  
DI  
ORG  
• Self-timed ERASE and WRITE cycles  
(including auto-erase)  
DO  
V
SS  
• Automatic ERAL before WRAL  
• Power on/off data protection circuitry  
• Industry standard 3-wire serial I/O  
• Device status signal during ERASE/WRITE cycles  
• Sequential READ function  
SOIC Package  
8
1
CS  
CLK  
DI  
V
CC  
PE  
ORG  
7
6
5
2
3
4
• 10,000,000 ERASE/WRITE cycles guaranteed  
• Data retention > 200 years  
V
DO  
SS  
• 8-pin PDIP/SOIC package  
• Temperature ranges supported  
- Commercial (C):  
- Industrial  
- Automotive (E)  
0°C to +70°C  
-40°C to +85°C  
-40°C to +125°C  
BLOCK DIAGRAM  
VCC VSS  
DESCRIPTION  
Address  
Decoder  
Memory  
Array  
The Microchip Technology Inc. 93C76/86 are 8K and  
16K low voltage serial Electrically Erasable PROMs.  
The device memory is configured as x8 or x16 bits  
depending on the ORG pin setup. Advanced CMOS  
technology makes these devices ideal for low power  
non-volatile memory applications. These devices also  
have a Program Enable (PE) pin to allow the user to  
write protect the entire contents of the memory array.  
The 93C76/86 is available in standard 8-pin DIP and 8-  
pin surface mount SOIC packages.  
Address  
Counter  
Data  
Register  
Output  
Buffer  
DO  
DI  
Mode  
Decode  
Logic  
PE  
CS  
Clock  
Generator  
CLK  
Microwire is a registered trademark of National Semiconductor Incorporated.  
1996 Microchip Technology Inc.  
Preliminary  
DS21132C-page 1  
This document was created with FrameMaker 4 0 4  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
93C76-/P MICROCHIP

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 		8K/16K 5.0V Microwire Serial EEPROM
93C76/SN MICROCHIP

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 		512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8
93C76-/SN MICROCHIP

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 		8K/16K 5.0V Microwire Serial EEPROM
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