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Datasheet > 存储 > EEPROM> 93C76A-E/MS
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93C76A-E/MS

更新时间： 2024-09-24 04:02:35
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
28页 481K
描述
8K Microwire Compatible Serial EEPROM

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93C76A-E/MS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MSOP
包装说明：TSSOP,针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：5.17备用内存宽度：8
最大时钟频率 (fCLK)：3 MHzJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：3 mm
内存密度：8192 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：16湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：8
字数：512 words字数代码：512
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512X16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.1 mm
串行总线类型：MICROWIRE最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3 mm最长写入周期时间 (tWC)：2 ms
Base Number Matches：1

93C76A-E/MS 数据手册

 浏览型号93C76A-E/MS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号93C76A-E/MS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号93C76A-E/MS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号93C76A-E/MS的Datasheet PDF文件第5页浏览型号93C76A-E/MS的Datasheet PDF文件第6页浏览型号93C76A-E/MS的Datasheet PDF文件第7页 
93AA76A/B/C, 93LC76A/B/C,  
93C76A/B/C  
8K Microwire Compatible Serial EEPROM  
Device Selection Table  
Part Number  
VCC Range  
ORG Pin  
PE Pin  
Word Size  
Temp Ranges  
Packages  
93AA76A  
93AA76B  
93LC76A  
93LC76B  
93C76A  
1.8-5.5  
1.8-5-5  
2.5-5.5  
2.5-5.5  
4.5-5.5  
4.5-5.5  
1.8-5.5  
2.5-5.5  
4.5-5.5  
No  
No  
No  
No  
8-bit  
16-bit  
I
OT  
I
OT  
No  
No  
8-bit  
I, E  
I, E  
I, E  
I, E  
I
OT  
No  
No  
16-bit  
OT  
No  
No  
8-bit  
OT  
93C76B  
No  
No  
16-bit  
OT  
93AA76C  
93LC76C  
93C76C  
Yes  
Yes  
Yes  
Yes  
Yes  
Yes  
8 or 16-bit  
8 or 16-bit  
8 or 16-bit  
P, SN, ST, MS, MC  
P, SN, ST, MS, MC  
P, SN, ST, MS, MC  
I, E  
I, E  
Features:  
Description:  
• Low-power CMOS technology  
The Microchip Technology Inc. 93XX76A/B/C devices  
are 8K bit, low-voltage, serial Electrically Erasable  
PROMs (EEPROM). Word-selectable devices such as  
the 93XX76C are dependent upon external logic levels  
driving the ORG pin to set word size. In the SOT-23  
package, the 93XX76A devices provide dedicated 8-bit  
memory organization, while the 93XX76B devices  
provide dedicated 16-bit memory organization. A  
Program Enable (PE) pin allows the user to write-protect  
the entire memory array. Advanced CMOS technology  
makes these devices ideal for low-power, nonvolatile  
memory applications. The 93XX Series is available in  
standard packages including 8-lead PDIP and SOIC,  
and advanced packaging including 8-lead MSOP, 6-lead  
SOT-23, 8-lead 2x3 DFN and 8-lead TSSOP. All  
packages are Pb-free and RoHS compliant.  
• ORG pin to select word size for ‘76C’ version  
• 1024 x 8-bit organization ‘A’ devices (no ORG)  
• 512 x 16-bit organization ‘B’ devices (no ORG)  
• Program Enable pin to write-protect the entire  
array (‘76C’ version only)  
• Self-timed erase/write cycles (including  
auto-erase)  
• Automatic ERAL before WRAL  
• Power-on/off data protection circuitry  
• Industry standard 3-wire serial I/O  
• Device Status signal (Ready/Busy)  
• Sequential read function  
• 1,000,000 E/W cycles  
• Data retention > 200 years  
Package Types (not to scale)  
• Pb-free and RoHS compliant  
• Temperature ranges supported:  
SOT-23  
(OT)  
PDIP/SOIC  
(P, SN)  
- Industrial (I)  
-40°C to +85°C  
CS  
CLK  
DI  
1
2
3
4
8
7
6
5
V
PE  
CC  
1
6
5
4
- Automotive (E) -40°C to +125°C  
DO  
V
CC  
2
3
VSS  
CS  
Pin Function Table  
ORG  
DI  
CLK  
DO  
VSS  
Name  
CS  
Function  
Chip Select  
DFN  
(MC)  
TSSOP/MSOP  
(ST, MS)  
CLK  
DI  
Serial Data Clock  
Serial Data Input  
Serial Data Output  
Ground  
1
VCC  
CS  
8
1
8
7
6
5
CS  
CLK  
DI  
V
PE  
ORG  
VSS  
CC  
7 PE  
2
3
4
CLK  
DI  
DO  
2
3
4
DO  
ORG  
6
5
DO  
VSS  
PE  
VSS  
Program Enable  
Memory Configuration  
Power Supply  
ORG  
VCC  
© 2006 Microchip Technology Inc.  
DS21796H-page 1  
1234567...28

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