是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP8,.3 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | Factory Lead Time: | 13 weeks |
风险等级: | 5.41 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | 100K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS | 备用内存宽度: | 8 |
最大时钟频率 (fCLK): | 2 MHz | 数据保留时间-最小值: | 200 |
耐久性: | 10000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 9.46 mm |
内存密度: | 2048 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 128 words |
字数代码: | 128 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128X16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP8,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE | 电源: | 2/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | TS 16949 |
座面最大高度: | 4.32 mm | 串行总线类型: | MICROWIRE |
最大待机电流: | 0.00003 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.001 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE |
宽度: | 7.62 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
写保护: | SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
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