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934059881215

更新时间： 2024-11-21 20:10:51

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	125K
描述
100mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4

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934059881215 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.8
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	CURRENT MIRROR
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

934059881215 数据手册

BCM61B

NPN/NPN matched double transistor

Rev. 02 — 28 August 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

NPN/NPN matched double transistor in a SOT143B small Surface-Mounted Device (SMD)

plastic package. Matched version of BCV61.

PNP/PNP equivalent: BCM62B

1.2 Features

I Current gain matching

1.3 Applications

I Current mirror

I Differential ampliﬁer

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor TR1

V_CEO

h_FE

collector-emitter voltage

DC current gain

open base

V_CE= 5 V;

I_C= 2 mA

200

290

450

Per transistor

I_C

collector current

100

Per device

I_C1/I_E2

[1]

current matching

V_CE1= 5 V;

0.92

1.02

1.12

I_E2= −0.5 mA;

T_amb≤ 25 °C

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard

footprint.

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