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934059871115

更新时间： 2024-11-25 21:18:11

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	102K
描述
45.8A, 75V, 0.0165ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, LFPAK-4

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934059871115 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.76
雪崩能效等级（Eas）：	165 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	75 V	最大漏极电流 (ID)：	45.8 A
最大漏源导通电阻：	0.0165 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	183 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

934059871115 数据手册

PH1875L

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 01 — 29 November 2005

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology.

1.2 Features

■ Logic level threshold

■ Low thermal resistance

■ Very low on-state resistance

■ Surface-mounted package

1.3 Applications

■ DC motor control

■ General purpose power switching

■ DC-to-DC converters

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 75 V

■ I_D≤ 45.8 A

■ R_DSon≤ 16.5 mΩ

■ Q_GD= 15.3 nC (typ)

2. Pinning information

Table 1:

Pinning

Description

Simpliﬁed outline

Symbol

1, 2, 3

source (S)

gate (G)

mounting base; connected to drain (D)

mbb076

2 3 4

SOT669 (LFPAK)

12 3 4 5 6 7...12

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