Datasheet > 934055451118

934055451118

更新时间： 2024-11-12 06:44:35

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	313K
描述
TRANSISTOR 3.4 A, 30 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, SMD, SO-8, FET General Purpose Power

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

934055451118 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	PLASTIC, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	13 mJ	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	3.4 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

934055451118 数据手册

PHN210T

Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET

Rev. 02 — 15 December 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Dual intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a

plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for

use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

 Suitable for high frequency

applications due to fast switching

characteristics

 Suitable for logic level gate drive

sources

 Suitable for low gate drive sources

1.3 Applications

 DC-to-DC converters

 Logic level translators

 Motor and relay drivers

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 150 °C;

Repetitive peak drain-source

voltage

[1]

[2]

I_D

drain current

T_sp= 25 °C; Single device

T_sp= 25 °C

3.4

P_tot

total power

dissipation

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 4.5 V; I_D= 1 A;

T_j= 25 °C

120 200 mΩ

on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 2.2 A;

T_j= 25 °C

100 mΩ

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge V_GS= 10 V; I_D= 2.3 A;

V_DS= 15 V; T_j= 25 °C

0.7

[1] Surface mounted on FR4 board, t ≤ 10 sec.

[2] Surface mounted on FR4, t ≤ 10 sec.

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与934055451118相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
934055453127	NXP	获取价格	TRANSISTOR 6 A, 525 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, PLASTIC, FULL PACK-3, BIP Gene
934055495115	NXP	获取价格	TRANSISTOR 5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN, BIP General P
934055505215	NXP	获取价格	DIODE SILICON, PIN DIODE, PLASTIC, SMD, SST3, 3 PIN, PIN Diode
934055509115	NXP	获取价格	DIODE SILICON, PIN DIODE, PLASTIC, SMD, URP, UMD2, 2 PIN, PIN Diode
934055514115	NXP	获取价格	IC 1.3 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO4, PLASTIC, SC-73, SOT-223, 4 PIN, Peripheral Dr
934055520135	NXP	获取价格	DIODE SILICON, PIN DIODE, PLASTIC, SMD, UMD2, URP, 2 PIN, PIN Diode
934055538127	NXP	获取价格	TRANSISTOR 49 A, 55 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46,
934055542127	NXP	获取价格	TRANSISTOR 23 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Pur
934055557125	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, UMT6, SC-88
934055557135	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, UMT6, SC-88

与934055451118相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

934055451118

934055451118 技术参数

934055451118 数据手册

与934055451118相关器件

与934055451118相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

934055451118

934055451118 技术参数

934055451118 数据手册

与934055451118相关器件

与934055451118相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？