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934048830118

更新时间： 2024-09-29 19:59:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅栅极
页数 文件大小 规格书
8页 72K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 8 A, 500 V, SCR

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934048830118 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.66外壳连接：ANODE
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：15 mA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：8 A
断态重复峰值电压：500 V重复峰值反向电压：500 V
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

934048830118 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Thyristors  
BT300S series  
BT300M series  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Glasspassivatedthyristorsinaplastic  
envelope, suitable for surface  
mounting, intended for use in  
SYMBOL PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
BT300S (or BT300M)- 500R 600R 800R  
applications  
bidirectional  
requiring  
blocking  
high  
VDRM  
VRRM  
IT(AV)  
,
Repetitive peak off-state  
500  
600  
800  
V
voltage  
voltages  
capability and high thermal cycling  
performance. Typical applications  
include motor control, industrial and  
domestic lighting, heating and static  
switching.  
Average on-state current  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
5
8
65  
5
8
65  
5
8
65  
A
A
A
IT(RMS)  
ITSM  
PINNING - SOT428  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
NUMBER  
Standard Alternative  
tab  
S
M
a
k
1
2
cathode  
anode  
gate  
gate  
anode  
cathode  
anode  
3
2
g
1
3
tab  
anode  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
-500R -600R -800R  
VDRM, VRRM Repetitive peak off-state  
voltages  
-
5001  
6001  
800  
V
IT(AV)  
IT(RMS)  
ITSM  
Average on-state current half sine wave; Tmb ≤ 107 ˚C  
-
-
5
8
A
A
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
all conduction angles  
half sine wave; Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
t = 10 ms  
-
-
-
-
65  
71  
21  
50  
A
A
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
ITM = 10 A; IG = 50 mA;  
dIG/dt = 50 mA/µs  
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
A2s  
A/µs  
IGM  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak reverse gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
2
5
A
V
V
W
W
˚C  
˚C  
VGM  
VRGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
-
-
5
-
-
5
over any 20 ms period  
0.5  
150  
125  
-40  
-
Tj  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the thyristor may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
September 1997  
1
Rev 1.100  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
934048840118 NXP

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 		Silicon Controlled Rectifier, 8 A, 600 V, SCR
934048900118 NXP

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4 A, 600 V, SCR, PLASTIC, SMD, SC-63, DPAK-3
934049200118 NXP

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 		4 Quadrant Logic Level TRIAC, 600V V(DRM), 8A I(T)RMS, PLASTIC, SC-63, DPAK-3
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