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934048720118

更新时间： 2024-09-29 20:48:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅栅极
页数 文件大小 规格书
6页 46K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 12 A, 800 V, SCR, PLASTIC, SMD, SC-63, DPAK-3

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934048720118 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-252
包装说明：PLASTIC, SMD, SC-63, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.16外壳连接：ANODE
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：15 mA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：12 A断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V表面贴装：YES
端子面层：TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

934048720118 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Thyristors  
BT151S series  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Passivated thyristors in a plastic  
envelope, suitable for surface  
mounting, intended for use in  
SYMBOL PARAMETER  
MAX.  
MAX.  
MAX. UNIT  
800R  
BT151S -  
500R  
500  
650R  
650  
applications  
bidirectional  
requiring  
high  
VDRM  
VRRM  
IT(AV)  
,
Repetitive peak off-state  
800  
V
blocking voltage  
voltages  
capability and high thermal cycling  
performance. Typical applications  
includemotorcontrol,industrialand  
domestic lighting, heating and  
static switching.  
Average on-state current  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state  
7.5  
12  
100  
7.5  
12  
100  
7.5  
12  
A
A
A
IT(RMS)  
ITSM  
100  
current  
PINNING - SOT428  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
NUMBER  
tab  
a
k
1
2
cathode  
anode  
gate  
3
2
g
1
3
tab  
anode  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
-500R 650R -800R  
VDRM, VRRM Repetitive peak off-state  
voltages  
-
5001  
6501  
800  
V
IT(AV)  
IT(RMS)  
ITSM  
Average on-state current half sine wave; Tmb ≤ 103 ˚C  
-
-
7.5  
12  
A
A
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
all conduction angles  
half sine wave; Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
t = 10 ms  
-
-
-
-
100  
110  
50  
A
A
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
ITM = 20 A; IG = 50 mA;  
dIG/dt = 50 mA/µs  
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
A2s  
A/µs  
50  
IGM  
Peak gate current  
Peak reverse gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
2
5
5
0.5  
150  
125  
A
V
W
W
˚C  
˚C  
VRGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
-
-
-
over any 20 ms period  
-40  
-
Tj  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the thyristor may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
January 2002  
1
Rev 1.400  
123456

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与934048720118相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
934048730118 NXP

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 		Silicon Controlled Rectifier, 12 A, 650 V, SCR, PLASTIC, SMD, SC-63, DPAK-3
934048790118 NXP

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 		Silicon Controlled Rectifier, 8 A, 800 V, SCR
934048830118 NXP

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934048840118 NXP

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 		Silicon Controlled Rectifier, 8 A, 600 V, SCR
934048900118 NXP

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4 A, 600 V, SCR, PLASTIC, SMD, SC-63, DPAK-3
934049200118 NXP

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 		4 Quadrant Logic Level TRIAC, 600V V(DRM), 8A I(T)RMS, PLASTIC, SC-63, DPAK-3
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 		4 Quadrant Logic Level TRIAC, 800V V(DRM), 8A I(T)RMS, PLASTIC, SC-63, DPAK-3
934049290118 NXP

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 		600V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
934049330118 NXP

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 		600V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
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