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934021910115

更新时间： 2023-04-15 00:00:00

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
19页	236K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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934021910115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.29	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

934021910115 数据手册

BC817; BC817W; BC337

45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors

Rev. 06 — 17 November 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

NPN general-purpose transistors.

Table 1. Product overview

Type number

Package

NXP

PNP complement

JEITA

BC817

SOT23

BC807

BC817W

BC337^[1]

SOT323

SOT54 (TO-92)

SC-70

SC-43A

BC807W

BC327

[1] Also available in SOT54A and SOT54 variant packages (see Section 2).

1.2 Features

High current

Low voltage

1.3 Applications

General-purpose switching and amplification

1.4 Quick reference data

Table 2.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

V_CEO

collector-emitter voltage

open base;

I_C= 10 mA

I_C

collector current (DC)

500 mA

I_CM

h_FE

peak collector current

[1]

DC current gain

I_C= 100 mA;

V_CE= 1 V

BC817; BC817W; BC337

BC817-16; BC817-16W; BC337-16

BC817-25; BC817-25W; BC337-25

BC817-40; BC817-40W; BC337-40

100

160

250

600

250

400

600

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.

12 3 4 5 6 7...19

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