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933965160127

更新时间： 2024-09-24 20:06:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
6页 33K
描述
600V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN

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933965160127 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.17其他特性：SENSITIVE GATE
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：4 A断态重复峰值电压：600 V
表面贴装：NO端子面层：TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

933965160127 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
logic level  
BT136 series D  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Passivated, sensitive gate triacs in a  
plastic envelope, intended for use in  
general purpose bidirectional switching  
and phase control applications. These  
devices are intended to be interfaced  
directly to microcontrollers, logic  
integrated circuits and other low power  
gate trigger circuits.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX. UNIT  
BT136- 600D  
VDRM  
IT(RMS)  
ITSM  
Repetitive peak off-state voltages  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state current  
600  
4
V
A
A
25  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
main terminal 1  
tab  
T2  
T1  
2
main terminal 2  
gate  
3
G
1 2 3  
tab main terminal 2  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-600D  
600  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave; Tmb ≤ 107 ˚C  
full sine wave; Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
4
A
t = 20 ms  
-
-
-
25  
27  
3.1  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
t = 10 ms  
A2s  
ITM = 6 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
T2+ G+  
-
50  
50  
50  
10  
2
5
5
0.5  
150  
125  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A
T2+ G-  
-
T2- G-  
-
T2- G+  
-
IGM  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
VGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
Tj  
-
V
-
-
W
over any 20 ms period  
W
-40  
-
˚C  
˚C  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Thermal resistance  
full cycle  
-
-
-
-
-
60  
3.0  
3.7  
-
K/W  
K/W  
K/W  
junction to mounting base half cycle  
Thermal resistance  
junction to ambient  
in free air  
June 2001  
1
Rev 1.400  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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