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9013

更新时间： 2024-11-05 22:25:19

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描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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9013 数据手册

NPN SILICON TRANSISTOR

9013

TO 92

FEATURES

1.EMITTER

发射极

2.BASE

特

征

Power dissipation

最大耗散功率

基极

P_CM: 0.625

Collector current

I_CM

Tamb=25

3.COLLECTOR

最大集电极电流

集

电极

0.5

1 2 3

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: 45

集电极--基极击穿电压

ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25

环境温度

unless otherwise specified

电

特

性

除

非

另

有

规

定

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

最小值

TYP

典型值

MAX

最大值

UNIT

单位

参

数

符

号

测

试

条

件

Collector-base breakdown voltage

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Ic= 100

I_E=0

集

电极 - - 基极击穿电压

Collector-emitter breakdown voltage

集电极 - - 发射极击穿电压

Ic= 0. 1 mA

I_B=0

I_C=0

I_E=0

I_B=0

I_C=0

Emitter-base breakdown voltage

I_E= 100

V_CB= 40

V_CE= 20

发

射极 - - 基极击穿电压

Collector cut-off current

集电极 - - 基极截止电流

0.1

300

Collector cut-off current

集电极 - - 发射极截止电流

I_CEO

Emitter cut-off current

发射极 - - 基极截止电流

I_EBO

V_EB=

H_FE

V_CE= 1 V, I_C= 50 mA

V_CE= 1V, I_C=500 mA

I_C= 500 mA, I_B=50 mA

I_C= 500mA, I_B= 50 mA

I_E=100mA

DC current gain(note)

直

流

电

流

增

益

H_FE

Collector-emitter saturation voltage

集电极 - - 发射极饱和压降

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE

0.6

1.2

1.4

Base-emitter saturation voltage

基极--发射极饱和压降

Base-emitter voltage

基极--发射极正向电压

V_CE= 6 V, I_C= 20 mA

f =30MHz

Transition frequency

150

MHz

f_T

特

征

频

率

CLASSIFICATION OF H_FE(1)

分类

Rank

档次

Range

范围

64-91

78-112

96-135

112-166

144-220

190-300

Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.

Homepage: http://www.wingshing.com

Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153

E-mail: wsccltd@hkstar.com

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