8ETX06-1PBF

更新时间： 2024-11-01 06:33:39

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威世 - VISHAY		二极管软恢复二极管超快速软恢复二极管
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Hyperfast Rectifier, 8 A FRED PtTM

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8ETX06-1PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.64
其他特性：	FREEWHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE	应用：	HYPERFAST RECOVERY POWER RECTIFIER
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.7 V	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	最大非重复峰值正向电流：	110 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向恢复时间：	0.024 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

8ETX06-1PBF 数据手册

8ETX06SPbF/8ETX06-1PbF

Vishay High Power Products

Hyperfast Rectifier,

8 A FRED Pt^TM

FEATURES

8ETX06SPbF

8ETX06-1PbF

• Hyperfast recovery time

Available

• Low forward voltage drop

RoHS*

COMPLIANT

• Low leakage current

• 175 °C operating junction temperature

• Lead (Pb)-free (“PbF” suffix)

• Designed and qualified for Q101 level

Base

cathode

DESCRIPTION/APPLICATIONS

State of the art hyperfast recovery rectifiers designed with

optimized performance of forward voltage drop, hyperfast

recovery time, and soft recovery.

The planar structure and the platinum doped life time control

guarantee the best overall performance, ruggedness and

reliability characteristics.

N/C

Anode

N/C

Anode

D²PAK

TO-262

These devices are intended for use in PFC boost stage in

the AC-DC section of SMPS, inverters or as freewheeling

diodes.

Their extremely optimized stored charge and low recovery

current minimize the switching losses and reduce over

dissipation in the switching element and snubbers.

PRODUCT SUMMARY

t_rr(typical)

15 ns

I_F(AV)

8 A

V_R

600 V

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

V_RRM

I_F(AV)

TEST CONDITIONS

MAX.

UNITS

Peak repetitive reverse voltage

Average rectified forward current

Non-repetitive peak surge current

Peak repetitive forward current

Operating junction and storage temperatures

600

T_C= 143 °C

T_J= 25 °C

110

I_FSM

I_FM

T_J, T_Stg

- 65 to 175

°C

ELECTRICAL SPECIFICATIONS (T_J= 25 °C unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX.

UNITS

Breakdown voltage,

blocking voltage

V_BR

V_R

I_R= 100 µA

I_F= 8 A

600

2.3

1.4

0.3

3.0

1.7

500

Forward voltage

V_F

I_R

I_F= 8 A, T_J= 150 °C

V_R= V_Rrated

Reverse leakage current

µA

T_J= 150 °C, V_R= V_Rrated

V_R= 600 V

Junction capacitance

Series inductance

C_T

L_S

Measured lead to lead 5 mm from package body

8.0

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 94033

Revision: 21-May-08

For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com

www.vishay.com

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