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8959811BZA

更新时间: 2024-02-06 01:58:22
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MICROSS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 206K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, CERAMIC, DIP-32

8959811BZA 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:DIP
包装说明:0.400 INCH, CERAMIC, DIP-32针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.06
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-CDIP-T32
JESD-609代码:e4长度:40.64 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.34 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:PALLADIUM GOLD端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

8959811BZA 数据手册

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